Найдено компонентов: 1058338

Микросхема памяти EEPROM 25LC040AT-I/MNY

4K, 512 X 8, 2.5V SER EE IND 8 TDFN 2x3x0.8mm T/R

Микросхема памяти EEPROMMICROCHIP TECHNOLOGY
Время записи - слова, страницы5ms
Диапазон рабочих температур-40°C ~ 85°C (TA)
Интерфейс памятиSPI
Класс памятиEEPROM
Корпус8-WFDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-TDFN (2x3)
Напряжение питания2.5 V ~ 5.5 V
Объем памяти4Kb (512 x 8)
Способ монтажаSurface Mount
Тактовая частота10MHz
ТехнологияEEPROM
Тип памятиNon-Volatile