Найдено компонентов: 746
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
FM25512SI3-TS-T-G1 — Fudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%22,50₽
FM25512-DN-T-G — Fudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%22,44₽
FM25128SI3-SO-T-G — Fudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%37,47₽
FM24C16D-SO-T — Fudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%13,19₽
FM24C32D-SO-T-G — Fudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%12,49₽
FM24C128D-SO-T-G-AX — Fudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%14,02₽
HK24C64-USR-B — Hangshun Chip Technology
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-31%24,22₽
HK24C256-USR-B — Hangshun Chip Technology
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-31%93,87₽
HK24C512-USR-B — Hangshun Chip Technology
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-31%93,87₽
FM25Q08B-SO-T-G — Fudan Microelectronics Group
Микросхема NOR FLASH памяти
Со склада
84 шт.
-28%32,50₽
FM25W32-SOB-T-G — Fudan Microelectronics Group
Микросхема NOR FLASH памяти
Со склада
78 шт.
-28%58,33₽
FM25160-SO-T-G — Fudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
67 шт.
-28%26,51₽
FM25640-DN-U-G — Fudan Microelectronics Group
Микросхема памяти EEPROM
Со склада
50 шт.
-28%28,12₽
FM25640-SO-U-G — Fudan Microelectronics Group
Микросхема памяти EEPROM
Со склада
50 шт.
-28%28,12₽
HK25Q64SI — Hangshun Chip Technology
Микросхема NOR FLASH памяти
Со склада
40 шт.
-31%97,47₽
HK25Q128SI — Hangshun Chip Technology
Микросхема NOR FLASH памяти
Со склада
32 шт.
-31%98,52₽
FM24C64D-SO-T-G — Fudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
25 шт.
-28%13,47₽
FM25640-SO-T-G — Fudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
22 шт.
-28%28,13₽
FM25256-SO-T-G — Fudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
8 шт.
-28%51,83₽
D59C1G01168GGJ25 — Delson Technology
IC, DDR2 SDRAM, 1024Mb, 64Mx16, FBGA, 800MHz, Ta=0~85℃,
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
R1LP0108ESP-5SI#B0 — RENESAS TECHNOLOGY
IC, Малопотребляющая SRAM память, 1M, 128x 8, SOP(32), 55нс, Vcc=4.5 to 5.5, Ta=-40 to 85
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
K9F2G08U0A-PIB0 — SAMSUNG ELECTRONICS
Память
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
R1EX24064ASAS0I#S0 — RENESAS TECHNOLOGY
EEPROM, 64 K, I2C@400kHz, SOP-8, -40..+85C
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
R1EX24512BSAS0I#S0 — RENESAS TECHNOLOGY
EEPROM, 512K, I2C@400kHz, SOP-8, -40..+85C
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
R1EV24064ASAS0I#K0 — RENESAS TECHNOLOGY
Микросхема памяти EEPROM
По запросу
под заказ
Цена
по запросу