Найдено компонентов: 1058338

Микросхема памяти EEPROM 25AA160DT-E/MNY

16K, 2K X 8, 32B PAGE, 1.8V SER EE EXT 8 TDFN 2x3x0.8mm T/R

Микросхема памяти EEPROMMICROCHIP TECHNOLOGY
Время записи - слова, страницы5ms
Диапазон рабочих температур-40°C ~ 125°C (TA)
Интерфейс памятиSPI
Класс памятиEEPROM
Корпус8-WFDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-TDFN
Напряжение питания1.8 V ~ 5.5 V
Объем памяти16Kb (2K x 8)
Способ монтажаSurface Mount
Тактовая частота10MHz
ТехнологияEEPROM
Тип памятиNon-Volatile