Найдено компонентов: 1058339

Микросхема памяти EEPROM 25AA080CT-I/MNY

8K, 1K X 8, 16B PAGE, 1.8V SER EE IND 8 TDFN 2x3x0.8mm T/R

Микросхема памяти EEPROMMICROCHIP TECHNOLOGY
Время записи - слова, страницы5ms
Диапазон рабочих температур-40°C ~ 85°C (TA)
Интерфейс памятиSPI
Класс памятиEEPROM
Корпус8-WFDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-TDFN (2x3)
Напряжение питания1.8 V ~ 5.5 V
Объем памяти8Kb (1K x 8)
Способ монтажаSurface Mount
Тактовая частота10MHz
ТехнологияEEPROM
Тип памятиNon-Volatile