Микросхема памяти EEPROM 24LCS52T-I/MNY
2K, 256 X 8, 2.5V SERIAL EE, IND 8 TDFN 2x3x0.8mm T/R
Микросхема памяти EEPROM | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Время доступа | 900ns |
Время записи - слова, страницы | 5ms |
Диапазон рабочих температур | -40°C ~ 85°C (TA) |
Интерфейс памяти | I²C |
Класс памяти | EEPROM |
Корпус | 8-WFDFN Exposed Pad |
Корпус производителя | 8-TDFN (2x3) |
Напряжение питания | 2.2 V ~ 5.5 V |
Объем памяти | 2Kb (256 x 8) |
Способ монтажа | Surface Mount |
Тактовая частота | 400kHz |
Технология | EEPROM |
Тип памяти | Non-Volatile |