Микросхема памяти EEPROM 11AA080T-I/MNY
8K, 1024 X 8 1.8V SERIAL EE, IND 8 TDFN 2x3x0.8mm T/R
| Микросхема памяти EEPROM | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Время записи - слова, страницы | 5ms |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Интерфейс памяти | Single Wire |
| Класс памяти | EEPROM |
| Корпус | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 8-TDFN (2x3) |
| Напряжение питания | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Объем памяти | 8Kb (1K x 8) |
| Способ монтажа | Surface Mount |
| Тактовая частота | 100kHz |
| Технология | EEPROM |
| Тип памяти | Non-Volatile |