Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
FF45MR12W1M1B11BOMA1 — INFINEON TECHNOLOGIES Модуль; Uds:1,2кВ; Id:25А; AG-EASY1BM-2; Ifsm:50А; винтами | 12 дней 1 0 | 23 шт. 1 0 | 5 284,65 От 10 шт. 5 282,34 | 1 0 |
FMD40-06KC — IXYS MOSFET DISCRETE DiscMSFT NChSuprJuncMultiChp i4-Pac | 12 дней 1 0 2 0 | 19 шт. 1 0 2 0 | 1 202,94 От 3 шт. 1 147,58 От 25 шт. 1 114,14 | 1 0 2 0 |
VUM33-05N — IXYS BIPOLAR MODULE Bipolar Module - Other V1A/B PACK | 12 дней | 11 шт. | 4 733,35 | |
VUM24-05N — IXYS BIPOLAR MODULE Bipolar Module - Other V1A/B PACK | 12 дней | 9 шт. | 2 393,20 | |
CCS020M12CM2 — CREE Модуль; транзистор/транзистор; Uds:1,2кВ; Id:20А; Six-Pack; 167Вт | 12 дней | 2 шт. | 23 998,89 | |
APT30M19JVFR — Microsemi Модуль; одиночный транзистор; Uds:300В; Id:130А; ISOTOP; 700Вт | 12 дней | 1 шт. | 4 808,31 | |
APT77N60JC3 — Microsemi Модуль; одиночный транзистор; Uds:600В; Id:77А; ISOTOP; 568Вт | 12 дней | 1 шт. | 2 552,36 | |
APTC60AM35SCTG — Microsemi Модуль; диод/транзистор; Uds:600В; Id:72А; SP4; 416Вт; Ifsm:288А | 12 дней | 1 шт. | 3 377,01 | |
FMM75-01F — IXYS POWER DIODE DISCRETE Power Diode Discretes-Rectifier i4-Pac | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 1 031,78 От 10 шт. 997,62 От 50 шт. 963,46 | |
HCT802TX — TT Electronics Dual Enhancement mode MOSFET, тип упаковки: Waffle Pack | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 4 699,54 От 500 шт. 4 542,88 От 700 шт. 4 386,23 | |
TC6215TG-G — MICROCHIP TECHNOLOGY N & P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DUAL MOSFET 8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R | По запросу | под заказ | 89,16 | |
TC6320K6-G — MICROCHIP TECHNOLOGY MOSFET, N AND P CHANNEL, 200V 8 VDFN 4x4x1.0mm T/R | По запросу | под заказ | 84,10 | |
TC6320TG-G — MICROCHIP TECHNOLOGY MOSFET, N AND P CHANNEL, 200V 8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R | По запросу | под заказ | 87,13 | |
TC7920K6-G — MICROCHIP TECHNOLOGY TWO PAIR, N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET w/DRAIN-DIODES 12 VDFN 4x4x1.0mm T/R | По запросу | под заказ | 119,56 | |
TC8020K6-G — MICROCHIP TECHNOLOGY SIX PAIR, N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 56 VQFN 8x8x1.0mm TRAY | По запросу | под заказ | 531,91 | |
TC8020K6-G-M937 — MICROCHIP TECHNOLOGY SIX PAIR, N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 56 VQFN 8x8x1.0mm T/R | По запросу | под заказ | 536,98 | |
TC8220K6-G — MICROCHIP TECHNOLOGY TWO PAIR, N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 12 VDFN 4x4x1.0mm T/R | По запросу | под заказ | 124,62 | |
TD9944TG-G — MICROCHIP TECHNOLOGY MOSFET, DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ARRAY, 240V, 6 Ohm 8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R | По запросу | под заказ | 91,19 | |
SSM6N55NU,LF(T — TOSHIBA UDFN6 Small-Signal MOS FETs(Dual) | По запросу | под заказ | 7,00 | |
SSM6P47NU,LF(T — TOSHIBA UDFN6 Small-Signal MOS FETs(Dual) | По запросу | под заказ | 8,38 | |
TPC8407,LQ(S — TOSHIBA MOSFET транзистор, N+P-канальный, VDSS=-30 В, ID=-7.4 А, Qg=39 нКл, PD=1,5 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 8pin-SOP-8 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
TPC8408,LQ(S — TOSHIBA SOP-8(OS) MOSFET SOP-8 DUAL | По запросу | под заказ | 22,02 | |
TC6321T-V/9U — MICROCHIP TECHNOLOGY THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR 8 VDFN 6x5x0.9mm T/R | По запросу | под заказ | 93,20 | |
TPC8223-H,LQ(S — TOSHIBA MOSFET SOP-8 DUAL | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MTI85W100GC-SMD — IXYS IGBT MODULE IGBT Module - CBI E1-Pack | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 1 424,06 От 10 шт. 1 376,92 От 50 шт. 1 329,77 |