Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
UPD166027 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPD166028 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPD166029 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPD166030 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
TPC8223-H,LQ(S — TOSHIBA MOSFET SOP-8 DUAL | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SSM6N37FE,LM(T — TOSHIBA UDFN6 SMALL SIGNAL MOS FET | По запросу | под заказ | 3,98 | |
MTI85W100GC-SMD — IXYS IGBT MODULE IGBT Module - CBI E1-Pack | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 1 907,87 От 10 шт. 1 844,70 От 50 шт. 1 781,52 | |
SSM6P47NU,LF(T — TOSHIBA UDFN6 Small-Signal MOS FETs(Dual) | По запросу | под заказ | 11,21 | |
SSM6N55NU,LF(T — TOSHIBA UDFN6 Small-Signal MOS FETs(Dual) | По запросу | под заказ | 9,37 | |
TPC8407,LQ(S — TOSHIBA MOSFET транзистор, N+P-канальный, VDSS=-30 В, ID=-7.4 А, Qg=39 нКл, PD=1,5 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 8pin-SOP-8 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
TPC8408,LQ(S — TOSHIBA SOP-8(OS) MOSFET SOP-8 DUAL | По запросу | под заказ | 29,51 | |
TC6321T-V/9U — MICROCHIP TECHNOLOGY THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR 8 VDFN 6x5x0.9mm T/R | По запросу | под заказ | 179,54 | |
HCT802TX — TT Electronics Dual Enhancement mode MOSFET, тип упаковки: Waffle Pack Компонент снят с производства | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 6 662,18 От 500 шт. 6 440,11 От 700 шт. 6 218,04 | |
DF23MR12W1M1B11BOMA1 — INFINEON TECHNOLOGIES Модуль; диод/транзистор; Uds:1,2кВ; Id:25А; AG-EASY1B-2; Ifsm:50А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DF11MR12W1M1B11BOMA1 — INFINEON TECHNOLOGIES Модуль; диод/транзистор; Uds:1,2кВ; Id:50А; AG-EASY1B-2; винтами | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
APT20M11JVR — Microsemi Модуль; одиночный транзистор; Uds:200В; Id:175А; ISOTOP; 700Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
APT30M19JVFR — Microsemi Модуль; одиночный транзистор; Uds:300В; Id:130А; ISOTOP; 700Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
APT41F100J — Microsemi Модуль; одиночный транзистор; Uds:1кВ; Id:42А; ISOTOP; 960Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
APT58M80J — Microsemi Модуль; одиночный транзистор; Uds:800В; Id:60А; ISOTOP; 960Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
APTC60AM35SCTG — Microsemi Модуль; диод/транзистор; Uds:600В; Id:72А; SP4; 416Вт; Ifsm:288А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
APT77N60JC3 — Microsemi Модуль; одиночный транзистор; Uds:600В; Id:77А; ISOTOP; 568Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CAS300M12BM2 — CREE Модуль; транзистор/транзистор; Uds:1,2кВ; Id:285А; 1,66кВт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CAS300M17BM2 — CREE Модуль; транзистор/транзистор; Uds:1,7кВ; Id:225А; 1,76кВт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CAS120M12BM2 — CREE Модуль; транзистор/транзистор; Uds:1,2кВ; Id:138А; 925Вт; винтами | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CCS050M12CM2 — CREE Модуль; транзистор/транзистор; Uds:1,2кВ; Id:59А; Six-Pack; 312Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу |