Найдено компонентов: 591
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
MMFTN3018WDIOTEC SEMICONDUCTOR
N-канальный FET транзистор (полевой), SOT-23 (TO-236), 0.2Вт, 60В, 400мА, Rds <130 Ом, -55…+150°С
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NP88N04NUGRENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
RJK60S3DPP-E0#T2RENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=12 А, Qg=13,6 нКл, PD=27,7 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,44 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
RJK60S4DPP-E0#T2RENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=16 А, Qg=13,6 нКл, PD=29,9 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,29 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
BSS84PL6327INFINEON TECHNOLOGIES
Электронный компонент
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
UPA1774GRENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
RJK60S8DPK-M0RENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=55 А, Qg=82 нКл, PD=416 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,056 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NP100P06PLG-E1-AYRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET, Pch-канальный, Single, VDSS=-60В, ID(DC)=-100А, RDS(ON)max=0.0061Ом@VGS=10V 0.0081Ом@VGS=4.5V , MP-25ZP/TO-263ZP
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
UPA1918TE-T1-ARENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-3,5 А, Qg=12 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,143 , 6pin- SC-95 Сквозной монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MMFTN123DIOTEC SEMICONDUCTOR
N-канальный FET транзистор (полевой), SOT-23 (TO-236), 0.36Вт, 100В, 170мА, Rds < 6 Ом, -55…+150°С (аналог BSS123)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
TK8A65D(STA4,Q,M)TOSHIBA
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=, В, ID=8 А, Qg=25 нКл, PD=45 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,84 , 3pin-TO-220SIS монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
N0301N-T1-ATRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=4,5 А, Qg=10 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 3pin-SOT-23F Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
N0302P-T1-ATRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-30 В, ID=-4,4 А, Qg=14 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,054 , 3pin-SOT-23F Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NP83P06PDG-E1-AYRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-83 А, Qg=190 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0088 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
UPA2757GR-E1-ATRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=5 А, Qg=10 нКл, PD=2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 8pin-SOP-8 Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
2SK3294-ZJ-E1-AZ/JMRENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NP50P04SDG-E1-AYRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-40 В, ID=-50 А, Qg=100 нКл, PD=84 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0096 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NP55N055SDG-E1-AYRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=55 В, ID=55 А, Qg=64 нКл, PD=77 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0095 , 3pin-TO252 Сквозной монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
2SJ598-Z-E1-AZRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
TK11A65W,S5X(MTOSHIBA
TO-220SIS PWR-MOSFET N-CHANNEL
По запросу
под заказ
90,44
TK40E06N1,S1X(STOSHIBA
TO-220AB(OS) PWR-MOSFET N-CHANNEL
По запросу
под заказ
34,91
TK40E10K3,S1X(STOSHIBA
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
TK40E10N1,S1X(STOSHIBA
TO-220AB(OS) PWR-MOSFET N-CHANNEL
По запросу
под заказ
49,18
TK40P04M1(T6RSS-Q)TOSHIBA
DP(OS) PWR-MOSFET N-CHANNEL
Компонент снят с производства
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
TK40S10K3Z(T6L1,NQTOSHIBA
NEW PW-MOLD PWR-MOSFET N-CHANNEL
Компонент снят с производства
По запросу
под заказ
Цена
по запросу