Транзистор TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=500 В, ID=4 А, Qg=9 нКл, PD=80 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2 , 3pin-DPAK Поверхностный монтаж
Транзистор | TOSHIBA |
Vgs (th) макс. @ Id | 4.4V @ 1mA |
Vgs (Макс.) | ±30V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 380pF @ 25V |
Диапазон рабочих температур | 150°C (TJ) |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Корпус | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Напряжение сток исток (Vdss) | 500V |
Продолжительный ток стока (Id) при 25 ° C | 4A (Ta) |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 80W (Tc) |
Способ монтажа | Surface Mount |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Управляющее напряжение (Макс. Rds on., Мин. on.) | 10V |