Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
IXTH10P50P — IXYS MOSFET DISCRETE Disc Mosfet P Channel-Std TO-247AD | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 445,39₽ От 10 шт. 430,63₽ От 50 шт. 415,90₽ | |
IXTP1R6N100D2 — IXYS MOSFET DISCRETE DiscMosfet N-CH Depl Mode-D2 TO-220AB/FP | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 145,57₽ От 10 шт. 140,74₽ От 50 шт. 135,92₽ | |
2SJ598-Z-E1-AZ — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IXTF03N400 — IXYS N-канальный высоковольтный силовой MOSFET транзистор, 4000В, 0.3 А. Снят с производства. Замена на IXTF02N450 | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 3 079,42₽ От 10 шт. 2 977,44₽ От 50 шт. 2 875,46₽ | |
2SK3294-ZJ-E1-AZ/JM — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP83P06PDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-83 А, Qg=190 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0088 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA2757GR-E1-AT — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=5 А, Qg=10 нКл, PD=2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 8pin-SOP-8 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IXTP10P50P — IXYS MOSFET DISCRETE DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-220AB/FP | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 351,96₽ От 10 шт. 340,31₽ От 50 шт. 328,64₽ | |
IXTP26P20P — IXYS MOSFET DISCRETE Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 371,51₽ От 10 шт. 359,22₽ От 50 шт. 346,91₽ | |
2SK3110 — RENESAS TECHNOLOGY SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1857GR-9JG-E1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1851GR-9JG-E2 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SJ601-Z-E1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK1852-T — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1918TE-T1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK1588-T1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1770G-E1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
N0302P-T1-AT — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-30 В, ID=-4,4 А, Qg=14 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,054 , 3pin-SOT-23F Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1774G — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IXTK5N250 — IXYS MOSFET DISCRETE DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-264(3) | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 5 240,28₽ От 10 шт. 5 066,76₽ От 50 шт. 4 893,24₽ | |
NP100P06PLG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET, Pch-канальный, Single, VDSS=-60В, ID(DC)=-100А, RDS(ON)max=0.0061Ом@VGS=10V 0.0081Ом@VGS=4.5V , MP-25ZP/TO-263ZP | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1918TE-T1-A — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-3,5 А, Qg=12 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,143 , 6pin- SC-95 Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IXFH18N100Q3 — IXYS MOSFET DISCRETE DiscMosfetN-CH HiPerFET-Polar TO-247AD | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 1 266,61₽ От 10 шт. 1 224,68₽ От 50 шт. 1 182,73₽ | |
MMBT7002K — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный FET транзистор (полевой), SOT-23 (TO-236), 0.35Вт, 60В, 115мА, Rds < 4 Ом, -55…+150°С (аналог 2N7002K) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MMIX1T600N04T2 — LITTELFUSE Disc MSFT SMPD Pkg-HiPerFETMSFT SMPD-B | По запросу | под заказ | Цена по запросу |