Транзистор NP83P06PDG-E1-AY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-83 А, Qg=190 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0088 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж
Транзистор | RENESAS TECHNOLOGY |
Корпус | 3pin-TO-263 |
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-83 А, Qg=190 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0088 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж
Транзистор | RENESAS TECHNOLOGY |
Корпус | 3pin-TO-263 |