Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
2SK3480-AZ — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=100 В, ID=50 А, Qg=74 нКл, PD=1,5 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,031 , 3pin-TO-220 Поверхностный монтаж Доступны аналоги (1) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK3480 — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET, Nch-канальный, Single, VDSS=100В, ID(DC)=50А, RDS(ON)max=0.03Ом@VGS=10V , MP-25/TO-220 Доступны аналоги (1) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SJ605-ZJ-E1 — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET, Pch-канальный, VDSS=-60V, Id=-65А, Rds(on)max= 0.02Ом@VGS=10B Доступны аналоги (1) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SJ605-ZJ-E1-AZ — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-63 А, Qg=87 нКл, PD=100 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,02 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж Доступны аналоги (1) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
RJK60S8DPK-M0 — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=55 А, Qg=82 нКл, PD=416 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,056 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
N0302P-T1-AT — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-30 В, ID=-4,4 А, Qg=14 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,054 , 3pin-SOT-23F Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP100P06PLG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET, Pch-канальный, Single, VDSS=-60В, ID(DC)=-100А, RDS(ON)max=0.0061Ом@VGS=10V 0.0081Ом@VGS=4.5V , MP-25ZP/TO-263ZP | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1918TE-T1-A — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-3,5 А, Qg=12 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,143 , 6pin- SC-95 Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1774G — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK3294-ZJ-E1-AZ/JM — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
N0301N-T1-AT — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=4,5 А, Qg=10 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 3pin-SOT-23F Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP55N055SDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=55 В, ID=55 А, Qg=64 нКл, PD=77 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0095 , 3pin-TO252 Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SJ598-Z-E1-AZ — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP83P06PDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-83 А, Qg=190 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0088 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA2757GR-E1-AT — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=5 А, Qg=10 нКл, PD=2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 8pin-SOP-8 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP50P04SDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-40 В, ID=-50 А, Qg=100 нКл, PD=84 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0096 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1770G-E1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK1588-T1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1918TE-T1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK1852-T — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SJ601-Z-E1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1851GR-9JG-E2 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1857GR-9JG-E1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK3110 — RENESAS TECHNOLOGY SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
RJK60S3DPP-E0#T2 — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=12 А, Qg=13,6 нКл, PD=27,7 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,44 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу |