Найдено компонентов: 2545
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
2SK3480RENESAS TECHNOLOGY
MOSFET, Nch-канальный, Single, VDSS=100В, ID(DC)=50А, RDS(ON)max=0.03Ом@VGS=10V , MP-25/TO-220
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
2SJ605-ZJ-E1RENESAS TECHNOLOGY
MOSFET, Pch-канальный, VDSS=-60V, Id=-65А, Rds(on)max= 0.02Ом@VGS=10B
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
UPA1770G-E1RENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
2SK1588-T1RENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
UPA1918TE-T1RENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
2SK1852-TRENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
2SJ601-Z-E1RENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
UPA1851GR-9JG-E2RENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
UPA1857GR-9JG-E1RENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
2SK3110RENESAS TECHNOLOGY
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
N0302P-T1-ATRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-30 В, ID=-4,4 А, Qg=14 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,054 , 3pin-SOT-23F Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
N0301N-T1-ATRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=4,5 А, Qg=10 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 3pin-SOT-23F Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
IXTH10P50PIXYS
MOSFET DISCRETE Disc Mosfet P Channel-Std TO-247AD
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
412,70
От 10 шт. 399,02
От 50 шт. 385,37
IXTP1R6N100D2IXYS
MOSFET DISCRETE DiscMosfet N-CH Depl Mode-D2 TO-220AB/FP
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
134,88
От 10 шт. 130,42
От 50 шт. 125,95
NP55N055SDG-E1-AYRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=55 В, ID=55 А, Qg=64 нКл, PD=77 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0095 , 3pin-TO252 Сквозной монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
2SK3480-AZRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=100 В, ID=50 А, Qg=74 нКл, PD=1,5 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,031 , 3pin-TO-220 Поверхностный монтаж
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
2SJ598-Z-E1-AZRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NP50P04SDG-E1-AYRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-40 В, ID=-50 А, Qg=100 нКл, PD=84 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0096 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
2SJ605-ZJ-E1-AZRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-63 А, Qg=87 нКл, PD=100 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,02 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NP88N04NUGRENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NP83P06PDG-E1-AYRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-83 А, Qg=190 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0088 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
IXTP10P50PIXYS
MOSFET DISCRETE DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-220AB/FP
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
326,12
От 10 шт. 315,32
От 50 шт. 304,52
IXTP26P20PIXYS
MOSFET DISCRETE Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
344,24
От 10 шт. 332,86
От 50 шт. 321,44
UPA2757GR-E1-ATRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=5 А, Qg=10 нКл, PD=2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 8pin-SOP-8 Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
IXTK5N250IXYS
MOSFET DISCRETE DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-264(3)
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
4 855,67
От 10 шт. 4 694,89
От 50 шт. 4 534,10