Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
UPA1774G — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK3294-ZJ-E1-AZ/JM — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SJ605-ZJ-E1-AZ — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-63 А, Qg=87 нКл, PD=100 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,02 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж Доступны аналоги (1) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP88N04NUG — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP83P06PDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-83 А, Qg=190 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0088 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA2757GR-E1-AT — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=5 А, Qg=10 нКл, PD=2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 8pin-SOP-8 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IXTP10P50P — IXYS MOSFET DISCRETE DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-220AB/FP | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 193,74 От 10 шт. 187,32 От 50 шт. 180,91 | |
IXTP26P20P — IXYS MOSFET DISCRETE Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 204,50 От 10 шт. 197,74 От 50 шт. 190,96 | |
NP50P04SDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-40 В, ID=-50 А, Qg=100 нКл, PD=84 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0096 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP55N055SDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=55 В, ID=55 А, Qg=64 нКл, PD=77 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0095 , 3pin-TO252 Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK3480 — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET, Nch-канальный, Single, VDSS=100В, ID(DC)=50А, RDS(ON)max=0.03Ом@VGS=10V , MP-25/TO-220 Доступны аналоги (1) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK3110 — RENESAS TECHNOLOGY SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1857GR-9JG-E1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1851GR-9JG-E2 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SJ601-Z-E1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SJ605-ZJ-E1 — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET, Pch-канальный, VDSS=-60V, Id=-65А, Rds(on)max= 0.02Ом@VGS=10B Доступны аналоги (1) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK1852-T — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1918TE-T1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK1588-T1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1770G-E1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK3480-AZ — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=100 В, ID=50 А, Qg=74 нКл, PD=1,5 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,031 , 3pin-TO-220 Поверхностный монтаж Доступны аналоги (1) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
N0302P-T1-AT — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-30 В, ID=-4,4 А, Qg=14 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,054 , 3pin-SOT-23F Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IXTH10P50P — IXYS MOSFET DISCRETE Disc Mosfet P Channel-Std TO-247AD | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 245,17 От 10 шт. 237,05 От 50 шт. 228,94 | |
IXTP1R6N100D2 — IXYS MOSFET DISCRETE DiscMosfet N-CH Depl Mode-D2 TO-220AB/FP | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 80,12 От 10 шт. 77,47 От 50 шт. 74,82 | |
2SJ598-Z-E1-AZ — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу |