Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
NL201614T-220K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 22мкГн, 10%, Q=15, 8Ом, 78мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-270J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 27мкГн, 5%, Q=15, 9Ом, 75мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-150K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 15мкГн, 10%, Q=15, 6.5Ом, 90мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-180J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 18мкГн, 5%, Q=15, 7Ом, 85мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-180K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 18мкГн, 10%, Q=15, 7Ом, 85мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-1R0J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 5%, Q=15, 0.8Ом, 350мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-1R0K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 10%, Q=15, 0.8Ом, 350мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-2R2J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 2.2мкГн, 5%, Q=15, 1.4Ом, 250мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-1R8K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1.8мкГн, 10%, Q=15, 1.2Ом, 270мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-100J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 10мкГн, 5%, Q=15, 4.5Ом, 110мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-100K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 10мкГн, 10%, Q=15, 4.5Ом, 110мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-120J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 12мкГн, 5%, Q=15, 5.7Ом, 105мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-120K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 12мкГн, 10%, Q=15, 5.7Ом, 105мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL201614T-150J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 15мкГн, 5%, Q=15, 6.5Ом, 90мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
FWSMDPI-332K — Ferriwo Силовая индуктивность 18.03*15.5*12.0мм, 3300мкГн, 20%, 4Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D18HP-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.6А (аналог CDRH2D18/HPNP-2R2NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPA201210T-1R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 20%, 0.18Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPA201210T-1R0T-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 30%, 0.18Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPA201210T-1R5M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 20%, 0.19Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPA201210T-1R5T-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 30%, 0.19Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPA201210T-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 2.2мкГн, 20%, 0.22Ом, 0.9А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPA201210T-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 2.2мкГн, 30%, 0.22Ом, 0.9А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB160808T-1R0M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0603, 1мкГн, 20%, 0.2Ом, 0.95А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB160808T-1R0T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0603, 1мкГн, 30%, 0.2Ом, 0.95А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB160808T-2R2M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0603, 2.2мкГн, 20%, 0.3Ом, 0.75А | По запросу | под заказ | Цена по запросу |