Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
CT0805-R10J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 100нГн, 5%, 0.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CT0805-82NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 82нГн, 5%, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LCN0805T-91NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 91нГн, 5%, 0.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LCN0805T-82NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 82нГн, 5%, 0.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LCN0805T-68NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 68нГн, 5%, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LCN0805T-56NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 56нГн, 5%, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LCN0805T-47NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 47нГн, 5%, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LCN0805T-43NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 43нГн, 5%, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LCN0805T-R10J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 100нГн, 5%, 0.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12H-1R0T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 1мкГн, 30%, 0.049Ом, 3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12H-1R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 1мкГн, 20%, 0.049Ом, 3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12H-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 30%, 0.099Ом, 2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12H-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.099Ом, 2А (аналог LQH2HPN2R2MJ0*/ LQH2HPN2R2MGR*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD0705T-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.8*7.0*5.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.04Ом, 3.5А (аналог SDR0805-4R7M) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1005T-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*5.4мм, 4.7мкГн, 20%, 0,04Ом, 2.6А (аналог SDR1006-4R7ML) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1004T-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*4.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.024Ом, 4А (аналог CDH104N-4R7M) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1005T-8N2S-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 8.2нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.3Ом, 300мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS606045-151M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 6.0*6.0*4.5мм, 150мкГн, 20%, 1Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NLC322522T-3R3K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 3.3мкГн, 10%, Q=20, 0.16Ом, 837мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NLC322522T-331J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 330мкГн, 5%, Q=15, 12.3Ом, 80мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NLC322522T-331K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 330мкГн, 10%, Q=15, 12.3Ом, 80мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NLC322522T-330J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 33мкГн, 5%, Q=15, 1.1Ом, 270мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NLC322522T-330K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 33мкГн, 10%, Q=15, 1.1Ом, 270мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NLC322522T-391J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 390мкГн, 5%, Q=15, 17.6Ом, 75мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-R68M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 0.68мкГн, 20%, 0.062Ом, 2.3А (аналог LQH2HPNR68MGR*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу |