• Все категории58.3K
Скачать список товаров
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
Кварцевый резонатор, корпус HC-49S-SMD ("лодочка"), -40…+85°С, 30/50ppm, 16пФ, 3.6864МГц
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
Кварцевый резонатор, корпус HC-49S-SMD ("лодочка"), -40…+85°С, 30/30ppm, 12пФ, 24МГц
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
Кварцевый резонатор, корпус HC-49S-SMD ("лодочка"), -40…+85°С, 30/30ppm, 12пФ, 30МГц
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
Кварцевый резонатор, корпус HC-49S-SMD ("лодочка"), -20…+70°С, 50/50ppm, 16пФ, 20.48МГц
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
Кварцевый резонатор, корпус HC-49S-SMD ("лодочка"), -40…+85°С, 30/30ppm, 22пФ, 20МГц
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
Кварцевый резонатор, корпус HC-49S-SMD ("лодочка"), -40…+85°С, 30/30ppm, 16пФ, 14.7456МГц
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
Кварцевый резонатор, корпус HC-49S-SMD ("лодочка"), -20…+70°С, 30/30ppm, 18пФ, 18.43МГц
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
Кварцевый резонатор, корпус HC-49S-SMD ("лодочка"), -40…+85°С, 30/30ppm, 22пФ, 6МГц
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
Кварцевый резонатор, корпус HC-49S-SMD ("лодочка"), -40…+85°С, 30/30ppm, 16пФ, 4.8МГц
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
74HC7541DB.118NXP SEMICONDUCTORS
Электронный компонент
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
K9F1G08U0D-SCB0000Samsung Semiconductor
IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
190,28
От 10 шт. 184,51
От 25 шт. 178,75
K9F1G08U0D-SCB0T00Samsung Semiconductor
IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
190,28
От 10 шт. 184,51
От 25 шт. 178,75
K9F1G08U0D-SIB0000Samsung Semiconductor
IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
190,28
От 10 шт. 184,51
От 25 шт. 178,75
K9F1G08U0D-SIB0T00Samsung Semiconductor
IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
190,28
От 10 шт. 184,51
От 25 шт. 178,75
K9F1G08U0E-SCB0000Samsung Semiconductor
IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
190,28
От 10 шт. 184,51
От 25 шт. 178,75
K9F1G08U0E-SCB0T00Samsung Semiconductor
IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
190,28
От 10 шт. 184,51
От 25 шт. 178,75
K9F1G08U0E-SIB0000Samsung Semiconductor
IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
190,28
От 10 шт. 184,51
От 25 шт. 178,75
K9F1G08U0E-SIB0T00Samsung Semiconductor
IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
190,28
От 10 шт. 184,51
От 25 шт. 178,75
K9F2G08U0C-SCB0000Samsung Semiconductor
IC, NAND-память, 2Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
241,51
От 10 шт. 234,19
От 25 шт. 226,87
K9F2G08U0C-SCB0T00Samsung Semiconductor
IC, NAND-память, 2Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
241,51
От 10 шт. 234,19
От 25 шт. 226,87
SLF1045T-152M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.1*10.1*4.5мм, 1500мкГн, 20%, 3.4Ом, 0.22А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SLF1045T-220M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.1*10.1*4.5мм, 22мкГн, 20%, 0.0591Ом, 1.9А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SLF1045T-221M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.1*10.1*4.5мм, 220мкГн, 20%, 0.47Ом, 0.65А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SLF1045T-271M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.1*10.1*4.5мм, 270мкГн, 20%, 0.58Ом, 0.58А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SLF1045T-330M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.1*10.1*4.5мм, 33мкГн, 20%, 0.0815Ом, 1.6А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу