Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
M3ST-1GSWFLPC-F — Innodisk 1 Гб, DDR3L, SO-DIMM, 1600MT/s, 128Mx16, Samsung, Commercial, 1 x rank , 1 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3ST-2GSJCLPC-F — Innodisk 2 Гб, DDR3L, SO-DIMM, 1600MT/s, 256Mx8, Samsung, Commercial, 1 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3ST-4GSJDLPC-F — Innodisk 4 Гб, DDR3L, SO-DIMM, 1600MT/s, 256Mx8, Samsung, Commercial, 2 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3ST-4GSSCLPC-E — Innodisk 4 Гб, DDR3L, SO-DIMM, 1600MT/s, 512Mx8, Samsung, Commercial, 1 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BZX84-C18 — NXP SEMICONDUCTORS Микросхема | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
K9F2G08UOC-PIBO — SAMSUNG ELECTRONICS Память | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
K9F1G08U0D-SCB0 — SAMSUNG ELECTRONICS Микросхема памяти К9F1G08U0D-SCB0 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCPW06L20020N-R6H-HC — AUK CONTRACTORS Разъем (картоприемник) SIM 6 конт. тип "Push-Push" (с контролем карты, 2 конт.), поверхн. монтаж на плату (с фиксат. в отверст. платы), H = 2.0 мм, упак. на ленте | По запросу 1 0 | под заказ 1 0 | 48,58₽ От 1200 шт. 48,58₽ | |
BCR553E6327 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 500мА; 330мВт; SOT23 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BCV27E6327 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 30В; 500мА; 360мВт; SOT23 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BCV47E6327 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 60В; 500мА; 360мВт; SOT23 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BSZ086P03NS3EGATMA — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BSZ120P03NS3EGATMA — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BSZ180P03NS3EGATMA — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SPN03N60C3 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 0,7А; SOT223 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BSS84PH6433 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,14А; 0,36Вт; PG-SOT23 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BC847CE6327 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 100мА; 330мВт; SOT23 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IPN95R1K2P7ATMA1 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 7Вт; PG-SOT223 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BC846UE6327 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: NPN x2; биполярный; 65В; 100мА; 250мВт; SC74 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IPD95R2K0P7ATMA1 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 37Вт; DPAK | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IPD95R450P7ATMA1 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IPD95R750P7ATMA1 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 73Вт; DPAK | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BC817SUE6327 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 500мА; 1Вт; SC74 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BC817UE6327 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: NPN x2; биполярный; 45В; 500мА; 330мВт; SC74 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BC846SH6327 — INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: NPN x2; биполярный; 65В; 100мА; 250мВт; SOT363 | По запросу | под заказ | Цена по запросу |