Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
DS2M-04GI81AW2ST — Innodisk Серия Micro SD Card(Industrial, W&T Grade, -40 ~ 85℃), 4 Гб, чтение 20 Мб/с, запись 14 Мб/с Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DS2M-02GI81AC2ST — Innodisk Серия Micro SD Card(Industrial, Standard Grade, 0℃ ~ +70℃), 2 Гб, чтение 16 Мб/с, запись 9 Мб/с | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3ST-4GSSC40E-E — Innodisk 4 Гб, DDR3L, SO-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Sorting Wide Temp., 1 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3ST-8GSSD40E-E — Innodisk 8 Гб, DDR3L, SO-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Sorting Wide Temp., 2 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SDM30-24S05 — MEAN WELL Электронный компонент Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
919-98F3-016 — Micro-Star International Одноплатный компьютер 3,5" MS-989F3 CPU Intel BDW ULTi5-5350U,DDR3 SODIMM+VGA+HDMI+LVDS+2*Mini-PCIe+2*LAN+2*SATA3.0+4*USB2.0+4*COM, питание DC 12V/19V/24V Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
KTY81/210.112 — NXP SEMICONDUCTORS Датчик температуры; 0÷150°C; SOD70; THT; 1,98кОм | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPX4250AP — NXP SEMICONDUCTORS Датчик давления | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL31B104KBCNNNC — SAMSUNG ELECTRONICS . | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
FX30 — SIERRA WIRELESS Non-Qual | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 23 316,58₽ От 20 шт. 21 762,14₽ От 100 шт. 19 783,76₽ | |
DS1026-09-2*9 S8BSXBX — CONNFLY ELECTRONIC Разъем "гнездо" 18 конт.(2x9) шаг 2.00 мм, поверхн. монтаж на плату (Hизол.= 4.3 мм), позол., вид упак. "tube" (туба) (DS1026-09-2*9S8BSXBX) (аналог PBD2-18S*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DS1031-37-2*5 P8BS1XBX-3A — CONNFLY ELECTRONIC Штыри двухрядные 2x5 конт. шаг 1.27 мм (1.27x1.27), поверхн. монтаж на плату (Hконт. = 3.05 мм, Hизол. = 2.51 мм), позол., упак. "tube" (DS1031-37-2*5P8BS1XBX-3A) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DS1031-37-2*5 P8BS1SRX-3A — CONNFLY ELECTRONIC Штыри двухрядные 2x5 конт. шаг 1.27 мм (1.27x1.27), поверхн. монтаж на плату (Hконт. = 3.05 мм, Hизол. = 2.51 мм), позол., с устан. крышкой/ вид упак. "tape on reel" (DS1031-37-2*5P8BS1SRX-3A) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DS1031-37-2*5 P8BS1SRS-3A — CONNFLY ELECTRONIC Штыри двухрядные 2x5 конт. шаг 1.27 мм (1.27x1.27), поверхн. монтаж на плату (Hконт. = 3.05 мм, Hизол. = 2.51 мм), с фиксат. в отверст. платы, позол., с устан. крышкой/ вид упак. "tape on reel" (DS1031-37-2*5P8BS1SRS-3A) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
FC2004C00-BHWFBW-51LR — Fordata Electronics ЖКИ 16х1 Символьный, габариты: 77.00х47.00мм, активная область: 55.12х17.56мм, Super Black TSTN, Подсветка: белая 24/7, -20…+70, U=5B, Рус/Eng Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3ST-8GSSDC0E-E — Innodisk 8 Гб, DDR3, SO-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Commercial, 2 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3ST-8GSSDL0E-E — Innodisk 8 Гб, DDR3L, SO-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Commercial, 2 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3S0-4GSSCLQE — Innodisk 4 Гб, DDR3L, SO-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Commercial, 1 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3S0-8GSSDCQE — Innodisk 8 Гб, DDR3, SO-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Commercial, 2 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3S0-8GSSDLQE — Innodisk 8 Гб, DDR3L, SO-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Commercial, 2 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3S0-8GSSUCPC — Innodisk 8 Гб, DDR3, SO-DIMM VLP, 1600MT/s, 512Mx8, Samsung, VLP, 2 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3ST-4GSSCC0E-E — Innodisk 4 Гб, DDR3, SO-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Commercial, 1 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3ST-4GSSCL0E-E — Innodisk 4 Гб, DDR3L, SO-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Commercial, 1 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3S0-4GSSCCQE — Innodisk 4 Гб, DDR3, SO-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Commercial, 1 x rank , 2 x side | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M24512-WMN6TP — ST MICROELECTRONICS Память; EEPROM; I2C; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; SO8 | По запросу | под заказ | Цена по запросу |