Транзистор TK12J60W,S1VQ(O
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=11.5 А, Qg=25 нКл, PD=110 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,3 , 3pin-TO-3P(N) Поверхностный монтаж
Транзистор | TOSHIBA |
Корпус | 3pin-TO-3P(N) |
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=11.5 А, Qg=25 нКл, PD=110 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,3 , 3pin-TO-3P(N) Поверхностный монтаж
Транзистор | TOSHIBA |
Корпус | 3pin-TO-3P(N) |