Транзистор TK10J80E,S1E(S
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=800 В, ID=10 А, Qg=46 нКл, PD=250 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1 , 3pin-TO-3P(N) Поверхностный монтаж
| Транзистор | TOSHIBA |
| Корпус | 3pin-TO-3P(N) |
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=800 В, ID=10 А, Qg=46 нКл, PD=250 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1 , 3pin-TO-3P(N) Поверхностный монтаж
| Транзистор | TOSHIBA |
| Корпус | 3pin-TO-3P(N) |