Найдено компонентов: 1058291

Транзисторная сборка RN1910FE,LF(CT

ES6 DIGITAL TRANSISTOR ARRAY

Транзисторная сборкаTOSHIBA
КорпусSOT-563, SOT-666
Корпус производителяES6
Мощность - максимальная100mW
Напряжение насыщения Vce макс. при Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.)50V
Отсечка тока коллектора (макс.)100nA (ICBO)
Резистор - база (R1)4.7 kOhms
Тип транзистора2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток коллектора (Ic) (макс.)100mA
Частота - переход250MHz