Чип-индуктивность NL252018T-R47J-N
Чип-индуктивность 1008, 0.47мкГн, 5%, Q=30, 0.68Ом, 800мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 30 |
| Индуктивность | 0,47 |
| Рабочий ток | 0,8 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 0.47мкГн, 5%, Q=30, 0.68Ом, 800мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 30 |
| Индуктивность | 0,47 |
| Рабочий ток | 0,8 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |