Чип-индуктивность NL252018T-R27J-N
Чип-индуктивность 1008, 0.27мкГн, 5%, Q=30, 0.55Ом, 830мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 30 |
| Индуктивность | 0,27 |
| Рабочий ток | 0,83 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 0.27мкГн, 5%, Q=30, 0.55Ом, 830мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 30 |
| Индуктивность | 0,27 |
| Рабочий ток | 0,83 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |