Чип-индуктивность NL252018T-R18K-N
Чип-индуктивность 1008, 0.18мкГн, 10%, Q=30, 0.4Ом, 850мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 30 |
| Индуктивность | 0,18 |
| Рабочий ток | 0,85 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 10% |
Чип-индуктивность 1008, 0.18мкГн, 10%, Q=30, 0.4Ом, 850мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 30 |
| Индуктивность | 0,18 |
| Рабочий ток | 0,85 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 10% |