Чип-индуктивность NL252018T-R12K-N
Чип-индуктивность 1008, 0.12мкГн, 10%, Q=30, 0.3Ом, 900мА
Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
Добротность | 30 |
Индуктивность | 0,12 |
Рабочий ток | 0,9 |
Тип | Чип-индуктивность |
Типоразмер | EIA: 1008 |
Точность, % | 10% |
Чип-индуктивность 1008, 0.12мкГн, 10%, Q=30, 0.3Ом, 900мА
Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
Добротность | 30 |
Индуктивность | 0,12 |
Рабочий ток | 0,9 |
Тип | Чип-индуктивность |
Типоразмер | EIA: 1008 |
Точность, % | 10% |