Чип-индуктивность NL252018T-82NJ-N
Чип-индуктивность 1008, 0.082мкГн, 5%, Q=35, 0.75Ом, 1230мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 35 |
| Индуктивность | 0,082 |
| Рабочий ток | 1,23 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 0.082мкГн, 5%, Q=35, 0.75Ом, 1230мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 35 |
| Индуктивность | 0,082 |
| Рабочий ток | 1,23 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |