Чип-индуктивность NL252018T-3R3J-N
Чип-индуктивность 1008, 3.3мкГн, 5%, Q=25, 1.9Ом, 730мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 25 |
| Индуктивность | 3,3 |
| Рабочий ток | 0,73 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 3.3мкГн, 5%, Q=25, 1.9Ом, 730мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 25 |
| Индуктивность | 3,3 |
| Рабочий ток | 0,73 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |