Чип-индуктивность NL252018T-1R0J-N
Чип-индуктивность 1008, 1мкГн, 5%, Q=25, 1.1Ом, 800мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 25 |
| Индуктивность | 1 |
| Рабочий ток | 0,8 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 1мкГн, 5%, Q=25, 1.1Ом, 800мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 25 |
| Индуктивность | 1 |
| Рабочий ток | 0,8 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |