оперативная память Innodisk DDR3 ECC SO-DIMM ULP M3DT-4GSSYCN9-E
4 Гб, DDR3, ECC SO-DIMM ULP, 1333MT/s, 512Mx8, Samsung, VLP, 1 x rank , 2 x side
оперативная память Innodisk DDR3 ECC SO-DIMM ULP | Innodisk |
Лог. организация | 512Mx8 |
Объём | 4 Гб |
Тактовая частота | 1333MT/s |
Темп. работы | 0°C ~ 85°C |
Тип DRAM | DDR3 |
Тип модуля | ECC SO-DIMM ULP |