оперативная память Innodisk DDR3 ECC U-DIMM VLP M3CT-4GSS4CPC-E
4 Гб, DDR3, ECC U-DIMM VLP, 1600MT/s, 512Mx8, Samsung, VLP, 1 x rank , 1 x side
оперативная память Innodisk DDR3 ECC U-DIMM VLP | Innodisk |
Лог. организация | 512Mx8 |
Объём | 4 Гб |
Тактовая частота | 1600MT/s |
Темп. работы | 0°C ~ 85°C |
Тип DRAM | DDR3 |
Тип модуля | ECC U-DIMM VLP |