Чип-индуктивность LT1210-3R9J-N
Чип-индуктивность 1210, 3.9мкГн, 5%, Q=20, 1.35Ом, 910мА
Документация:
LT1210| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 20 |
| Индуктивность | 3,9 |
| Рабочий ток | 0,91 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1210 |
| Точность, % | 5% |