Чип-индуктивность LT1210-1R8J-N
Чип-индуктивность 1210, 1.8мкГн, 5%, Q=20, 0.72Ом, 1150мА
Документация:
LT1210| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 20 |
| Индуктивность | 1,8 |
| Рабочий ток | 1,15 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1210 |
| Точность, % | 5% |