Чип-индуктивность LD1008-4R7J-N
Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 5%, 0.435Ом, 650мА
Документация:
LD1008| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Индуктивность | 4,7 |
| Рабочий ток | 0,65 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 5%, 0.435Ом, 650мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Индуктивность | 4,7 |
| Рабочий ток | 0,65 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |