Чип-индуктивность LD1008-3R9J-N
Чип-индуктивность 1008, 3.9мкГн, 5%, 0.22Ом, 700мА
Документация:
LD1008| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Индуктивность | 3,9 |
| Рабочий ток | 0,7 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 3.9мкГн, 5%, 0.22Ом, 700мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Индуктивность | 3,9 |
| Рабочий ток | 0,7 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |