Чип-индуктивность LD1008-2R2J-N
Чип-индуктивность 1008, 2.2мкГн, 5%, 0.155Ом, 950мА
Документация:
LD1008| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Индуктивность | 2,2 |
| Рабочий ток | 0,95 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 2.2мкГн, 5%, 0.155Ом, 950мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Индуктивность | 2,2 |
| Рабочий ток | 0,95 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |