Чип-индуктивность LD1008-1R1K-N
Чип-индуктивность 1008, 1.1мкГн, 10%, 0.105Ом, 1200мА
Документация:
LD1008| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Индуктивность | 1,1 |
| Рабочий ток | 1,2 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 10% |
Чип-индуктивность 1008, 1.1мкГн, 10%, 0.105Ом, 1200мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Индуктивность | 1,1 |
| Рабочий ток | 1,2 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 10% |