IGBT транзистор IXYH50N65C3D1
IGBT DISCRETE Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
| IGBT транзистор | IXYS |
| Td (вкл. / выкл.) при 25 ° C | 20ns/90ns |
| Vce(вкл) (макс.) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 36A |
| Время обратного восстановления (trr) | 36ns |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Заряд затвора | 86nC |
| Импульсный ток коллектора (ICM) | 250A |
| Корпус | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247 |
| Мощность - максимальная | 600W |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.) | 650V |
| Серия | XPT™, GenX3™ |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Статус | Active |
| Тип входа | Standard |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 132A |
| Условия тестирования | 400V, 36A, 5 Ohm, 15V |
| Энергия переключения | 800µJ (on), 800µJ (off) |