IGBT транзистор IXBX75N170
IGBT DISCRETE Disc IGBT BiMosfet-High Volt TO-247AD
| IGBT транзистор | IXYS |
| Vce(вкл) (макс.) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 75A |
| Время обратного восстановления (trr) | 1.5µs |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Заряд затвора | 350nC |
| Импульсный ток коллектора (ICM) | 580A |
| Корпус | TO-247-3 |
| Корпус производителя | PLUS247™-3 |
| Мощность - максимальная | 1040W |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.) | 1700V |
| Рабочее напряжение | 1700 |
| Серия | BIMOSFET™ |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Статус | Active |
| Тип входа | Standard |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 200A |
| Упаковка | Tube |