IGBT транзистор IXBH42N170
IGBT DISCRETE Disc IGBT BiMosfet-High Volt TO-247AD
| IGBT транзистор | IXYS |
| Vce(вкл) (макс.) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 42A |
| Время обратного восстановления (trr) | 1.32µs |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Заряд затвора | 188nC |
| Импульсный ток коллектора (ICM) | 300A |
| Корпус | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247AD (IXBH) |
| Мощность - максимальная | 360W |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.) | 1700V |
| Серия | BIMOSFET™ |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Статус | Active |
| Тип входа | Standard |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 80A |
| Упаковка | Bulk |