Найдено компонентов: 1056559

IGBT транзистор IXA45IF1200HB

IGBT DISCRETE Disc IGBT XPT-GenX3 TO-252D

IGBT транзисторIXYS
Vce(вкл) (макс.) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 35A
Время обратного восстановления (trr)350ns
Диапазон рабочих температур-40°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора106nC
КорпусTO-247-3
Корпус производителяTO-247AD (HB)
Мощность - максимальная325W
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.)1200V
Способ монтажаThrough Hole
СтатусActive
Тип IGBTPT
Тип входаStandard
Ток коллектора (Ic) (макс.)78A
УпаковкаTube
Условия тестирования600V, 35A, 27 Ohm, 15V
Энергия переключения3.8mJ (on), 4.1mJ (off)