IGBT транзистор IXA45IF1200HB
IGBT DISCRETE Disc IGBT XPT-GenX3 TO-252D
| IGBT транзистор | IXYS |
| Vce(вкл) (макс.) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Время обратного восстановления (trr) | 350ns |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Заряд затвора | 106nC |
| Корпус | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247AD (HB) |
| Мощность - максимальная | 325W |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.) | 1200V |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Статус | Active |
| Тип IGBT | PT |
| Тип входа | Standard |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 78A |
| Упаковка | Tube |
| Условия тестирования | 600V, 35A, 27 Ohm, 15V |
| Энергия переключения | 3.8mJ (on), 4.1mJ (off) |