Электронный компонент B82498F1222J
Проволочная чип индуктивность 0805 2200nH ±5% Ir=130mA 1.6 Ohms
| Электронный компонент | EPCOS (SIEMENS MATSUSHITA COMP ) |
Проволочная чип индуктивность 0805 2200nH ±5% Ir=130mA 1.6 Ohms
| Электронный компонент | EPCOS (SIEMENS MATSUSHITA COMP ) |