СрокНаличиеЦена с НДС
IXDN75N120IXYS
IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V NPT IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 150 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,19 mJ. Тепловое сопротивление: 0,19 K/W.
Со склада
2 шт.
-46%1 001,12
+1
IXGH32N170IXYS
IGBT-транзистор, 1700 V. Технология 1700 V Low On-State Voltage NPT IGBTs. Рабочий ток (t=25 °C): 75 А. Корпус: TO-247AD. Класс переключения: A3 Class, более 5 кГц. Энергия выключения: 14 mJ. Тепловое сопротивление: 0,35 K/W.
Со склада
5 шт.
-47%521,74
+1