Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
---|
M4DR-8GSSQC0G-E — Innodisk DDR4 SO-DIMM 8GB 2133MT/s 512Mx8 Samsung WECC Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M4DR-AGS1QC0G-B — Innodisk DDR4 SO-DIMM 16GB 2133MT/s 1Gx8 Samsung WECC Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M4CR-8GS1SC0G-B — Innodisk DDR4 U-DIMM VLP 8GB 2133MT/s 1Gx8 Samsung WECC Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M4CR-8GSSMC0G-E — Innodisk DDR4 U-DIMM 8GB 2133MT/s 512Mx8 Samsung WECC Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M4CR-8GSSTC0G-D — Innodisk Электронный компонент Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M4CR-AGS1MC0G-B — Innodisk DDR4 U-DIMM 16GB 2133MT/s 1Gx8 Samsung WECC Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M4CR-AGS1TC0G-B — Innodisk DDR4 U-DIMM VLP 16GB 2133MT/s 1Gx8 Samsung WECC Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M4CR-4GSSLC0G-E — Innodisk DDR4 U-DIMM 4GB 2133MT/s 512Mx8 Samsung WECC Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M4CR-4GSSSC0G-D — Innodisk Электронный компонент Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M4CR-8GS1LC0G-B — Innodisk DDR4 U-DIMM 8GB 2133MT/s 1Gx8 Samsung WECC Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-8GMSAI0C-E — Innodisk DDR3, U-DIMM, 8 ГБайт, 1600 МГц, 512Mx8, Micron, Wide Temperature Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-8GMSAIN9-E — Innodisk DDR3, U-DIMM, 8 ГБайт, 1333 МГц, 512Mx8, Micron, Wide Temperature Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-8GMSAD0C-E — Innodisk DDR3L, U-DIMM, 8 ГБайт, 1600 МГц, 512Mx8, Micron, Wide Temperature Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-8GMSADN9-E — Innodisk DDR3L, U-DIMM, 8 ГБайт, 1333 МГц, 512Mx8, Micron, Wide Temperature Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-4GSJGLM7-Q — Innodisk DDR3L, U-DIMM VLP, 4 ГБайт, 1066 МГц, 256Mx8, Samsung, Low-Profile Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-4GSJGLN9-Q — Innodisk DDR3L, U-DIMM VLP, 4 ГБайт, 1333 МГц, 256Mx8, Samsung, Low-Profile Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-4GSJGCM7-Q — Innodisk DDR3, U-DIMM VLP, 4 ГБайт, 1066 МГц, 256Mx8, Samsung, Low-Profile Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-4GSJGCN9-Q — Innodisk DDR3, U-DIMM VLP, 4 ГБайт, 1333 МГц, 256Mx8, Samsung, Low-Profile Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-4GSJGL0C-Q — Innodisk DDR3L, U-DIMM VLP, 4 ГБайт, 1600 МГц, 256Mx8, Samsung, Low-Profile Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-4GSJGC0C-Q — Innodisk DDR3, U-DIMM VLP, 4 ГБайт, 1600 МГц, 256Mx8, Samsung, Low-Profile Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-4GPJADN9-B — Innodisk DDR3L, U-DIMM, 4 ГБайт, 1333 МГц, 256Mx8, Promos, Wide Temperature Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-4GPJAI0C-B — Innodisk DDR3, U-DIMM, 4 ГБайт, 1600 МГц, 256Mx8, Promos, Wide Temperature Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-4GPJAIM7-B — Innodisk DDR3, U-DIMM, 4 ГБайт, 1066 МГц, 256Mx8, Promos, Wide Temperature Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-4GPJAIN9-B — Innodisk DDR3, U-DIMM, 4 ГБайт, 1333 МГц, 256Mx8, Promos, Wide Temperature Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
M3UW-4GMSBDM7-E — Innodisk DDR3L, U-DIMM, 4 ГБайт, 1066 МГц, 512Mx8, Micron, Wide Temperature Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу |