Найдено компонентов: 22
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
RFM01U7P(TE12L,F)TOSHIBA
PW-MINI RF-MOSFET N-CHANNEL
По запросу
под заказ
95,15
RFM04U6P(TE12L,F)TOSHIBA
PW-MINI RF-MOSFET N-CHANNEL
По запросу
под заказ
123,13
RFM12U7X(TE12L,Q)TOSHIBA
PW-X RF-MOSFET N-CH
По запросу
под заказ
422,86
3SK291(TE85L,F)TOSHIBA
SMQ RF-MOSFET N-CH
Компонент снят с производства
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NE894M13-ARENESAS TECHNOLOGY
Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=20ГГц, Кш=1,4дБ(2ГГц), S21e=13дБ, hFE=50…100, Uкэ=3В, Iк=35мА, 3L2MM, -40...85C
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NESG2031M05-T2RENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NE34018-T1RENESAS TECHNOLOGY
Транзистор
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NE3508M04-T2-ARENESAS TECHNOLOGY
Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 2ГГц, Кш=0,45дБ(2ГГц), Ga=14,0дБ(2ГГц),Uси=2В, Iстока нас.=10мА, -40...85C, корпус F4TSMM
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NE664M04-T2-ARENESAS TECHNOLOGY
Транзистор, n-p-n, СВЧ, мощный, Ft=20ГГц, 0,46…2,4ГГц, Рвых(1дБ)=26дБм(1,8ГГц), КПД=60%, hFE=40…100, Uкэ=5В, Iк=500мА, F4TSMM, -40...85C
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NESG3031M05-T1-ARENESAS TECHNOLOGY
Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Кш=0,95дБ(5,2ГГц), S21e=9дБ(5,8ГГц), hFE=220…380, Uкэ=4,3В, Iк=35мА, F4TSMM, -40...85C
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NE3509M04-T2-ARENESAS TECHNOLOGY
Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 2ГГц, Кш=0,4дБ(2ГГц), Ga=17,5дБ(2ГГц),Uси=4В, Iстока нас.=45мА, -40...85C корпус F4TSMM
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NE3515S02-T1C-ARENESAS TECHNOLOGY
Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 12ГГц, Кш=0,3дБ(12ГГц), Ga=12.5дБ(12ГГц), Uси=2В, Iстока нас.=10мА, -40…+85
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NE5510279A-T1-ARENESAS TECHNOLOGY
Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,45…2,5ГГц, Рвых.макс=35,5дБм(0,9ГГц), Кус.лин=16дБ, КПД=65%, Uси=8В, Iс=1,5А, 79A, -40…+85˚C
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NE5511279A-T1-ARENESAS TECHNOLOGY
Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,46…0,9ГГц, Рвых.макс=40,5дБм(0,46ГГц), Кус.лин=18,5дБ, КПД=50%, Uси=8В, Iс=3А, 79A, -40…+85˚C
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NE3514S02-T1C-ARENESAS TECHNOLOGY
Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 20ГГц, Кш=0,75дБ(20ГГц), Ga=10дБ(20ГГц), Uси=4В, Iстока нас.=40мА, -40…+85
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MGF4953A-65MITSUBISHI ELECTRONIC
LowNoise InGaAs 12GHz
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
IXFH6N100FIXYS
6A 1000V F Series MOSFET IXYS
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
2SK209-BL(TE85L,F)TOSHIBA
S-MINI N-CHANNEL JFET
По запросу
под заказ
11,93
2SK209-GR(TE85L,F)TOSHIBA
S-MINI N-CHANNEL JFET
По запросу
под заказ
11,93
2SK209-Y(TE85L,F)TOSHIBA
S-MINI N-CHANNEL JFET
По запросу
под заказ
11,93
2SK3075(TE12L,Q)TOSHIBA
PW-X RF-MOSFET N-CH
По запросу
под заказ
323,35
2SK3476(TE12L,Q)TOSHIBA
PW-X RF-MOSFET N-CHANNEL
По запросу
под заказ
286,04