Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
NE3509M04-T2-A — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 2ГГц, Кш=0,4дБ(2ГГц), Ga=17,5дБ(2ГГц),Uси=4В, Iстока нас.=45мА, -40...85C корпус F4TSMM Доступны аналоги (1) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NE3508M04-T2-A — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 2ГГц, Кш=0,45дБ(2ГГц), Ga=14,0дБ(2ГГц),Uси=2В, Iстока нас.=10мА, -40...85C, корпус F4TSMM Доступны аналоги (1) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NE3515S02-T1C-A — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 12ГГц, Кш=0,3дБ(12ГГц), Ga=12.5дБ(12ГГц), Uси=2В, Iстока нас.=10мА, -40…+85 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NE5510279A-T1-A — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,45…2,5ГГц, Рвых.макс=35,5дБм(0,9ГГц), Кус.лин=16дБ, КПД=65%, Uси=8В, Iс=1,5А, 79A, -40…+85˚C | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NE3514S02-T1C-A — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 20ГГц, Кш=0,75дБ(20ГГц), Ga=10дБ(20ГГц), Uси=4В, Iстока нас.=40мА, -40…+85 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NE664M04-T2-A — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор, n-p-n, СВЧ, мощный, Ft=20ГГц, 0,46…2,4ГГц, Рвых(1дБ)=26дБм(1,8ГГц), КПД=60%, hFE=40…100, Uкэ=5В, Iк=500мА, F4TSMM, -40...85C | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NESG3031M05-T1-A — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Кш=0,95дБ(5,2ГГц), S21e=9дБ(5,8ГГц), hFE=220…380, Uкэ=4,3В, Iк=35мА, F4TSMM, -40...85C | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NE894M13-A — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=20ГГц, Кш=1,4дБ(2ГГц), S21e=13дБ, hFE=50…100, Uкэ=3В, Iк=35мА, 3L2MM, -40...85C | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MGF4953A-65 — MITSUBISHI ELECTRONIC LowNoise InGaAs 12GHz | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NE34018-T1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NESG2031M05-T2 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK209-Y(TE85L,F) — TOSHIBA S-MINI N-CHANNEL JFET | По запросу | под заказ | 15,49₽ | |
2SK3075(TE12L,Q) — TOSHIBA PW-X RF-MOSFET N-CH | По запросу | под заказ | 419,62₽ | |
2SK3476(TE12L,Q) — TOSHIBA PW-X RF-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 371,20₽ | |
2SK209-BL(TE85L,F) — TOSHIBA S-MINI N-CHANNEL JFET | По запросу | под заказ | 15,49₽ | |
2SK209-GR(TE85L,F) — TOSHIBA S-MINI N-CHANNEL JFET | По запросу | под заказ | 15,49₽ | |
RFM12U7X(TE12L,Q) — TOSHIBA PW-X RF-MOSFET N-CH | По запросу | под заказ | 548,72₽ | |
RFM01U7P(TE12L,F) — TOSHIBA PW-MINI RF-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 123,47₽ | |
RFM04U6P(TE12L,F) — TOSHIBA PW-MINI RF-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 159,77₽ | |
3SK291(TE85L,F) — TOSHIBA SMQ RF-MOSFET N-CH Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NE5511279A-T1-A — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,46…0,9ГГц, Рвых.макс=40,5дБм(0,46ГГц), Кус.лин=18,5дБ, КПД=50%, Uси=8В, Iс=3А, 79A, -40…+85˚C | По запросу | под заказ | 418,62₽ |