Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
TC6321T-V/9U — MICROCHIP TECHNOLOGY THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR 8 VDFN 6x5x0.9mm T/R | По запросу | под заказ | 180,50 | |
HCT802TX — TT Electronics Dual Enhancement mode MOSFET, тип упаковки: Waffle Pack Компонент снят с производства | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 6 698,00 От 500 шт. 6 474,73 От 700 шт. 6 251,47 | |
TC7920K6-G — MICROCHIP TECHNOLOGY TWO PAIR, N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET w/DRAIN-DIODES 12 VDFN 4x4x1.0mm T/R | По запросу | под заказ | 229,60 | |
TD9944TG-G — MICROCHIP TECHNOLOGY MOSFET, DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ARRAY, 240V, 6 Ohm 8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R | По запросу | под заказ | 176,16 | |
TC8020K6-G — MICROCHIP TECHNOLOGY SIX PAIR, N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 56 VQFN 8x8x1.0mm TRAY | По запросу | под заказ | 1 022,36 | |
TC8220K6-G — MICROCHIP TECHNOLOGY TWO PAIR, N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 12 VDFN 4x4x1.0mm T/R | По запросу | под заказ | 239,70 | |
TC8020K6-G-M937 — MICROCHIP TECHNOLOGY SIX PAIR, N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 56 VQFN 8x8x1.0mm T/R | По запросу | под заказ | 1 031,03 | |
TC1550TG-G — MICROCHIP TECHNOLOGY N & P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DUAL MOSFET 8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R | По запросу | под заказ | 709,02 | |
TC2320TG-G — MICROCHIP TECHNOLOGY MOSFET, N AND P CHANNEL, 200V 8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R | По запросу | под заказ | 181,94 | |
TC6215TG-G — MICROCHIP TECHNOLOGY N & P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DUAL MOSFET 8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R | По запросу | под заказ | 168,95 | |
TC6320TG-G — MICROCHIP TECHNOLOGY MOSFET, N AND P CHANNEL, 200V 8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R | По запросу | под заказ | 166,07 | |
TC6320K6-G — MICROCHIP TECHNOLOGY MOSFET, N AND P CHANNEL, 200V 8 VDFN 4x4x1.0mm T/R | По запросу | под заказ | 161,72 | |
DF11MR12W1M1B11BOMA1 — INFINEON TECHNOLOGIES Модуль; диод/транзистор; Uds:1,2кВ; Id:50А; AG-EASY1B-2; винтами | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DF23MR12W1M1B11BOMA1 — INFINEON TECHNOLOGIES Модуль; диод/транзистор; Uds:1,2кВ; Id:25А; AG-EASY1B-2; Ifsm:50А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
APT20M11JVR — Microsemi Модуль; одиночный транзистор; Uds:200В; Id:175А; ISOTOP; 700Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
APT30M19JVFR — Microsemi Модуль; одиночный транзистор; Uds:300В; Id:130А; ISOTOP; 700Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
APT41F100J — Microsemi Модуль; одиночный транзистор; Uds:1кВ; Id:42А; ISOTOP; 960Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
APT58M80J — Microsemi Модуль; одиночный транзистор; Uds:800В; Id:60А; ISOTOP; 960Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
APT77N60JC3 — Microsemi Модуль; одиночный транзистор; Uds:600В; Id:77А; ISOTOP; 568Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
APTC60AM35SCTG — Microsemi Модуль; диод/транзистор; Uds:600В; Id:72А; SP4; 416Вт; Ifsm:288А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CCS020M12CM2 — CREE Модуль; транзистор/транзистор; Uds:1,2кВ; Id:20А; Six-Pack; 167Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CCS050M12CM2 — CREE Модуль; транзистор/транзистор; Uds:1,2кВ; Id:59А; Six-Pack; 312Вт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CAS300M12BM2 — CREE Модуль; транзистор/транзистор; Uds:1,2кВ; Id:285А; 1,66кВт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CAS300M17BM2 — CREE Модуль; транзистор/транзистор; Uds:1,7кВ; Id:225А; 1,76кВт | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CAS120M12BM2 — CREE Модуль; транзистор/транзистор; Uds:1,2кВ; Id:138А; 925Вт; винтами | По запросу | под заказ | Цена по запросу |