СрокНаличиеЦена с НДС
IXFX180N15P IXYS
MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе PLUS247. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 180А. Сопротивление канала - менее 0,011 Ом. Входная емкость: 7000 pF, заряд затвора: 240 nC, время обратного восстановления: 200 наносекунд, термосопротивление: 0,18K/W, мощность рассеивания: 830 W.
Со склада
42 шт.
-61%235,37
+1
+8
IXTY01N100D IXYS
TO-252AA (DPak)
Со склада
65 шт.
-26%71,87
+1
+55
IXTK90N25L2 IXYS
MOSFET-транзистор линейный (расширенная зона FBSOA), n-канальный в корпусе TO-264. Технология LinearL2™. Напряжение исток-сток: 250V. Ток стока (при t=25°C): 90А. Сопротивление канала - менее 0,033 Ом. Входная емкость: 23000 pF, заряд затвора: 640 nC, время обратного восстановления: 266 наносекунд, термосопротивление: 0,13K/W, мощность рассеивания: 960 W.
Со склада
1 458 шт.
-43%821,10
+1
+3