СрокНаличиеЦена с НДС
IXFH46N65X2IXYS
MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-247. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 46А. Сопротивление канала - менее 0,069 Ом. Входная емкость: 4570 pF, заряд затвора: 98 nC, время обратного восстановления: 180 наносекунд, термосопротивление: 0,19Мощность рассеивания: 660 W.
Со склада
9 шт.
-21%266,22
+1
IXFX180N15PIXYS
MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе PLUS247. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 180А. Сопротивление канала - менее 0,011 Ом. Входная емкость: 7000 pF, заряд затвора: 240 nC, время обратного восстановления: 200 наносекунд, термосопротивление: 0,18K/W, мощность рассеивания: 830 W.
Со склада
42 шт.
-61%225,53
+1
IXTK90N25L2IXYS
MOSFET-транзистор линейный (расширенная зона FBSOA), n-канальный в корпусе TO-264. Технология LinearL2™. Напряжение исток-сток: 250V. Ток стока (при t=25°C): 90А. Сопротивление канала - менее 0,033 Ом. Входная емкость: 23000 pF, заряд затвора: 640 nC, время обратного восстановления: 266 наносекунд, термосопротивление: 0,13K/W, мощность рассеивания: 960 W.
Со склада
1 456 шт.
-44%786,80
+1
IXTN210P10TIXYS
MOSFET-транзистор, p-канальный в корпусе SOT-227B MiniBLOC. Технология TrenchP™. Напряжение исток-сток: -100V. Ток стока (при t=25°C): -210А. Сопротивление канала - менее 0,0075 Ом. Входная емкость: 69500 pF, заряд затвора: 740 nC, время обратного восстановления: 200 наносекунд, термосопротивление: 0,15Мощность рассеивания: 830 W.
Со склада13-15 дней
6 шт.
3 шт.
-30%1 525,02
2 981,18
+1
+1
IXTY01N100DIXYS
TO-252AA (DPak)
Со склада
63 шт.
-26%68,87
+1