Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
IXTK90N25L2IXYS
MOSFET-транзистор линейный (расширенная зона FBSOA), n-канальный в корпусе TO-264. Технология LinearL2™. Напряжение исток-сток: 250V. Ток стока (при t=25°C): 90А. Сопротивление канала - менее 0,033 Ом. Входная емкость: 23000 pF, заряд затвора: 640 nC, время обратного восстановления: 266 наносекунд, термосопротивление: 0,13K/W, мощность рассеивания: 960 W.
Со склада
1 436 шт.
-43%775,19
+1
IXTN210P10TIXYS
MOSFET-транзистор, p-канальный в корпусе SOT-227B MiniBLOC. Технология TrenchP™. Напряжение исток-сток: -100V. Ток стока (при t=25°C): -210А. Сопротивление канала - менее 0,0075 Ом. Входная емкость: 69500 pF, заряд затвора: 740 nC, время обратного восстановления: 200 наносекунд, термосопротивление: 0,15Мощность рассеивания: 830 W.
Со склада
1 шт.
-29%1 502,50
+1
IXTY01N100DIXYS
TO-252AA (DPak)
Со склада
53 шт.
-25%67,85
+1