Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
SSM3J15FV(TPL3,Z) — TOSHIBA N-CHANNEL SMOS VESM | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SSM3J16FS(TE85L,F) — TOSHIBA SSM P-CHANNEL SMOS | По запросу | под заказ | 5,14₽ | |
SSM3J46CTB(TPL3) — TOSHIBA CST3B P-CHANNEL SMOS Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | 7,49₽ | |
SSM3K09FU(TE85L,F) — TOSHIBA MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, VGSS=+/-20 В, ID=0,4 A, Vth(max)=1,8 В, RDSON= см. даташит @1,8 В, 3pin-USM | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HN1K02FU(TE85L,F) — TOSHIBA MOSFET транзистор, Nx2-канальный, VDSS=20 В, ID=0.05 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 6pin-US7 монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HN1K02FU(T5L,F,T) — TOSHIBA MOSFET транзистор, Nx2-канальный, VDSS=20 В, ID=0.05 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 6pin-US6 монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK880-GR(TE85L,F) — TOSHIBA USM N-CHANNEL JFET | По запросу | под заказ | 17,60₽ | |
NP83P06PDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-83 А, Qg=190 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0088 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA2757GR-E1-AT — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=5 А, Qg=10 нКл, PD=2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 8pin-SOP-8 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP50P04SDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-40 В, ID=-50 А, Qg=100 нКл, PD=84 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0096 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP55N055SDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=55 В, ID=55 А, Qg=64 нКл, PD=77 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0095 , 3pin-TO252 Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1851GR-9JG-E2 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1857GR-9JG-E1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK3110 — RENESAS TECHNOLOGY SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SJ601-Z-E1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK1852-T — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1918TE-T1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK1588-T1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1770G-E1 — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
N0302P-T1-AT — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-30 В, ID=-4,4 А, Qg=14 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,054 , 3pin-SOT-23F Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
N0301N-T1-AT — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=4,5 А, Qg=10 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 3pin-SOT-23F Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MMBT7002K — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный FET транзистор (полевой), SOT-23 (TO-236), 0.35Вт, 60В, 115мА, Rds < 4 Ом, -55…+150°С (аналог 2N7002K) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SJ598-Z-E1-AZ — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
RJK60S8DPK-M0 — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=55 А, Qg=82 нКл, PD=416 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,056 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP100P06PLG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET, Pch-канальный, Single, VDSS=-60В, ID(DC)=-100А, RDS(ON)max=0.0061Ом@VGS=10V 0.0081Ом@VGS=4.5V , MP-25ZP/TO-263ZP | По запросу | под заказ | Цена по запросу |