Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
IXTP26P20P — IXYS MOSFET DISCRETE Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 362,99₽ От 10 шт. 350,98₽ От 50 шт. 338,95₽ | |
IXTH10P50P — IXYS MOSFET DISCRETE Disc Mosfet P Channel-Std TO-247AD | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 435,17₽ От 10 шт. 420,76₽ От 50 шт. 406,36₽ | |
IXTP1R6N100D2 — IXYS MOSFET DISCRETE DiscMosfet N-CH Depl Mode-D2 TO-220AB/FP | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 142,22₽ От 10 шт. 137,51₽ От 50 шт. 132,80₽ | |
2SJ598-Z-E1-AZ — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
N0301N-T1-AT — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=4,5 А, Qg=10 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 3pin-SOT-23F Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BSS84PL6327 — INFINEON TECHNOLOGIES Электронный компонент | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IXFP26N50P3 — IXYS MOSFET DISCRETE IXFP26N65X2 | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 471,25₽ От 10 шт. 455,64₽ От 50 шт. 440,04₽ | |
RJK60S8DPK-M0 — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=55 А, Qg=82 нКл, PD=416 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,056 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IXTK5N250 — IXYS MOSFET DISCRETE DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-264(3) | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 5 120,09₽ От 10 шт. 4 950,55₽ От 50 шт. 4 781,02₽ | |
NP100P06PLG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET, Pch-канальный, Single, VDSS=-60В, ID(DC)=-100А, RDS(ON)max=0.0061Ом@VGS=10V 0.0081Ом@VGS=4.5V , MP-25ZP/TO-263ZP | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1918TE-T1-A — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-3,5 А, Qg=12 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,143 , 6pin- SC-95 Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IXTF03N400 — IXYS N-канальный высоковольтный силовой MOSFET транзистор, 4000В, 0.3 А. Снят с производства. Замена на IXTF02N450 | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 3 008,78₽ От 10 шт. 2 909,15₽ От 50 шт. 2 809,51₽ | |
2N7008-G — MICROCHIP TECHNOLOGY MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 7.5 Ohm 3 TO-92 BAG | По запросу | под заказ | 39,19₽ | |
2N6660 — MICROCHIP TECHNOLOGY MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 3 Ohm 3 TO-39 BAG | По запросу | под заказ | 1 760,38₽ | |
2N6661 — MICROCHIP TECHNOLOGY MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 90V, 4 Ohm 3 TO-39 BAG | По запросу | под заказ | 1 760,38₽ | |
2N7000-G — MICROCHIP TECHNOLOGY MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 5 Ohm 3 TO-92 BAG | По запросу | под заказ | 31,36₽ | |
2N7002-G — MICROCHIP TECHNOLOGY MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 7.5 Ohm 3 SOT-23 1.3mm T/R | По запросу | под заказ | 37,62₽ | |
SSM3J328R,LF(B — TOSHIBA MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-20 В, VGSS=+/-8 В, ID=-6 A, Vth(max)= В, RDSON=0,056@1,8 В, 3pin-SOT23F | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SSM6N44FE,LM(B — TOSHIBA MOSFET транзистор, Nx2-канальный, VDSS=30 В, VGSS= В, ID=0.1 A, Vth(max)= В, RDSON=@1,8 В, 6pin-ES6 | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
TK10A50W,S5X(M — TOSHIBA TO-220SIS PWR-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 85,36₽ | |
TK10A60W5,S5VX(M — TOSHIBA TO-220SIS PWR-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 100,01₽ | |
TK11Q65W,S1Q(S — TOSHIBA IPAK(OS) PWR-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 95,72₽ | |
TK12A50W,S5X(M — TOSHIBA TO-220SIS PWR-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 103,62₽ | |
TPN6R003NL,LQ(S — TOSHIBA TSON-ADV(OS) MOSFET TSON-ADV SINGLE | По запросу | под заказ | 21,55₽ | |
TPW2900ENH,L1Q(M — TOSHIBA DSOP-ADV MOSFET DSOP-ADV SINGLE | По запросу | под заказ | 130,92₽ |